報告題目：激光圖形化誘導分子束外延生長與半導體激光器簡介（Molecular beam epitaxial growth induced by laser patterning and introduction of semiconductor laser）

 報告人：彭长四 苏州大学

報告時間：6月18日（周五）10：00-11：30

 報告地點：通信樓725會議室，電子科技大學沙河校區

 摘要：

 報告主要介紹GaAs晶圓基底上外延制備InAs納米結構陣列质料：在超高真空质料外延生長的過程中通過激光幹涉圖案誘導，改變局部反應過程和/或局域應力漫衍，爲納米結構（例如：量子點/線）陣列的成核提供場所（能量最低位置）。

 個人簡曆：

  彭长四，苏州大学教授，光电学院公共平台主任，现任（英国）贝德福特大学和（英国）谢菲尔德大学客座教授。果真发表180余篇同行评审论文，SCI他人引用2000余次；专著1部（Springer）以及其他4部中每部1章；授权发现专利17个，授权实用新型专利2个。