報告題目：激光圖形化誘導分子束外延生長與半導體激光器簡介（Molecular beam epitaxial growth induced by laser patterning and introduction of semiconductor laser）

 報告人：彭长四 苏州大学

報告時間：6月18日（周五）10：00-11：30

 報告所在：通信樓725會議室，電子科技大學沙河校區

 摘要：

 報告主要介绍GaAs晶圆基底上外延制备InAs纳米结构阵列质料：在超高真空质料外延生长的历程中通过激光干预干与图案诱导，改变局部反映历程和/或局域应力漫衍，为纳米结构（例如：量子点/线）阵列的成核提供场所（能量最低位置）。

 個人簡曆：

  彭长四，苏州大学教授，光电学院公共平台主任，现任（英国）贝德福特大学和（英国）谢菲尔德大学客座教授。果真发表180余篇同行评审论文，SCI他人引用2000余次；专著1部（Springer）以及其他4部中每部1章；授权发现专利17个，授权实用新型专利2个。