掃描非線性介電顯微鏡的原子分辨率在尖端半導體质料與器件研究中的應用
特邀專家：Yasuo Cho 日本东北大学
講座時間：2025年6月27日 10:00
講座地點：國際創新中心B504報告廳
主講人簡介：
Yasuo Cho,1980年结业于日本东北大学电气工程系，1985年起任東北大學電氣通信研究所助理研究員，1990年獲山口大學副教授職稱，1997年任東北大學電氣通信研究所副教授，2001年晉升該研究所教授，2022年轉任東北大學創新産業孵化中心特聘教授。Yasuo Cho曾參與多項國家級研究項目，總經費約爲3億日元（近2千萬元人民幣）。他于2020年編撰出书《掃描非線性介電顯微術》。其主要研究領域包罗：鐵電质料的非線性現象及其應用、掃描非線性介電顯微技術（SNDM）研究、基于SNDM的半導體质料與器件評估分析以及新一代超高密度鐵電數據存儲技術（SNDM鐵電探針存儲器）。
近年來原子級厚度的範德華半導體的微觀載流子漫衍已通過新型SNDM技術乐成實現測量，本講座也將涵蓋這一前沿進展。除此之外，本講座還將揭示SNDM爲半導體质料與器件物理研究帶來的全新發現，這些结果是難以通過其他要领獲得的。
內容簡介：
本講座主要介紹掃描非線性介電顯微技術（SNDM），它在半導體质料與器件的表征中表現卓越。該技術具備全球最高的電容檢測靈敏度和分辨率，能滿足工業界、學術界及學生群體在鐵電、介電、半導體及掃描探針顯微技術領域的研究需求。通過SNDM技術，參與者將能夠：
1.分析尖端半导体器件微结构中的参杂漫衍；
2.对事情状态下半导体器件的载流子漫衍进行原位丈量；
3.可视化其他要领无法检测的器件耗尽层漫衍；
4.首次以二维形式泛起MOS界面陷阱密度（D~it~）漫衍；
5.实时（纳秒级）视察半导体质料与器件中的载流子運動。
